直播精彩回顾
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▲先导片
▲开场
▲SiC MOSFET短路特性与短路保护
▲SiC MOSFET驱动、测量、米勒钳位及并联布线
▲Q&A环节
直播期间后台涌现了大量问题,但因时间有限,未能回答全部,在此针对一些遗漏问题进行回答。如果大家还有任何问题,欢迎在文末留言,我们会及时回复。
Q
罗氏线圈带宽导致的延时怎么处理?
双脉冲测试平台,空心电感作为感性负载,测开通,把Vce跌落的时刻和Ic上升的时刻调整到同步。关于电流探头的延时校准,请参考下面文章:👇👇
Q
为什么一类短路没有米勒平台
米勒平台产生的原因,是在MOSFET开通过程中,当DS之间电压从高到低跳变时,门极电流给栅-漏之间的寄生电容Cgd充电,不给栅-源电容Cgc充电,从而Vgs不再上升,从而形成米勒平台。从一类短路波形看,DS电压不会降低,门极电流持续给Cgs充电,门极Vgs持续上升,因此没有米勒平台。更多关于米勒平台及米勒效应的介绍,请参考下面文章:👇👇
Q
IGBT和MOSFET开通和关断的平台电压为什么不一样呢?
芯片内部的米勒平台电压都是一样的,但功率器件有时会有内部电阻,而测量的门极电压点是内部电阻和外部电阻的连接点。看到的其实是在这点的分压。开通时两端电压为VCC-Vmiller,而关断时两端电压为Vmiller-VEE。
Q
IGBT的二类短路保护比较难做,SiC也是一样的吗?
IGBT的二类短路保护难做,主要是因为从导通状态进入到短路状态的过程中,CE电压存在从低到高的跳变,变化的dv/dt通过门极-集电极间的米勒电容Cgc产生位移电流,位移电流流经门极电阻会使门极电压抬升,从而提高短路电流,缩短短路时间。从这个角度看,SiC也存在类似问题,但英飞凌CoolSiC™ MOSFET米勒电容做得比较小,米勒效应引起的门极电压抬升会相对轻一些。
Q
CoolSiC™ MOSFET 3us的短路能力是在什么条件下得到的?
英飞凌单管产品的3us短路能力是在如下条件定义的:VDD=800V,VDS,peak<1200V,VGS,on=15V, Tj,start=25℃。
Q
请问直播中介绍的带短路保护功能的驱动IC产品的前沿消隐时间是可以调整的吗?
本次直播介绍的两款产品中,F3系列1ED332X的前沿消隐时间是固定的,其典型值为400ns。1ED34和1ED38系列的前沿消隐时间是可以调整的,其中1ED34的前沿消隐时间有400ns,650ns, 1150ns三档可调。而1ED38从100ns到3300ns有64档可调。
Q
英飞凌F3系列驱动芯片1ED332X的CMRR能力有什么优势吗?
F3系列产品的CMRR达到了300kV/us,对于一般的SiC器件驱动来说足够了。但是在实际应用中,布线和系统结构等都会影响驱动的抗干扰性能。
Q
数字可编程的芯片1ED38X0,是否可以保存设置,还是每次上电都需要配置?
芯片内部没有存储功能,只能每次上电时进行配置。
Q
驱动芯片的静态功耗和哪些因素相关?是固定的吗?
驱动芯片的静态功耗主要和电压值和温度有关,可以认为它在电路中是固定的。
Q
驱动芯片的轨到轨输出是什么意思?
如果驱动芯片副边供电是+15V,输出电压稳定值也是15V,那么我们就称它为轨到轨。一般用的三极管作推挽放大后,三极管本身会产生电压降,输出往往变成14.3V,这样就不叫轨到轨了。
碳化硅直播季第三期8月9日
《好钢用在刀刃上一
探讨SiC热门应用和器件选型要点》
我们不见不散!
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碳化硅直播季主持人
孙辉波
英飞凌科技大中华区
零碳工业功率事业部
应用工程师
时间:8月9日下午14:00
话题:好钢用在刀刃上——探讨SiC热门应用和器件选型要点
直播嘉宾
沈嵩
英飞凌科技大中华区
零碳工业功率事业部
应用工程师
周明
英飞凌科技大中华区
零碳工业功率事业部
应用工程师
由于 SiC材料在禁带宽度、绝缘击穿场强、热导率以及功率密度等参数方面要远远优于传统硅基半导体,所以其在新能源汽车、充电桩、高速电机、可再生能源等领域的应用在逐步的扩大化。未来还会在哪些领域大有可为?
好钢用在刀刃上,让我们共同探讨SiC热门应用和器件选型要点。
本期关键词:碳化硅,光储充,固态变压器,
固态断路器,SiC 器件选型
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【英飞凌工业半导体】