台積放話 2017追上英特爾

工商時報【記者涂志豪、王志煌╱台北報導】 台積電共同營運長蔣尚義昨（22）日表示，台積電由20奈米跨入16奈米製程微縮時間確定縮短1年，即2015年將提前量產3D電晶體架構的16奈米鰭式場效電晶體（FinFET）製程。為了滿足客戶需求，台積電已決定加快研發腳步，「希望10奈米世代就能全面趕上英特爾」，時間點就落在2017年。 台積電董事長張忠謀在日前法說會中宣布，今年資本支出拉高至95~100億美元，且16奈米FinFET製程要提前一年量產。主掌台積電技術研發的蔣尚義昨天則說明，加快16奈米量產，是因為客戶對此有強烈需求。 蔣尚義表示，台積電明年開始進入20奈米單晶片（SoC）製程量產，16奈米FinFET製程理論上應該是20奈米量產的2年後才會導入，不過，這只是特例而非常態，主要是英特爾已成為台積電的間接競爭對手。 蔣尚義表示，過去英特爾要生產處理器，所以半導體製程一直是最先進的，但現在英特爾搶進行動裝置市場，台積電很多客戶都開始要跟英特爾競爭，也因此，客戶要台積電加快研發速度，台積電當然從善如流，加快製程的微縮時程，才不會讓客戶失去競爭力。 根據台積電目前規劃，2014年開始導入20奈米SoC製程量產，2015年導入16奈米FinFET製程量產，但後續的10奈米量產時間，仍將在16奈米量產之後2年才會導入，也就是2017年台積電將進入10奈米世代，且可望首度採用先進的極紫外光（EUV）微影技術。 蔣尚義表示，為了滿足客戶對先進製程的需求，台積電已集結了開放創新平台（OIP）中的各供應商，投入龐大資源加速製程推進速度，「希望10奈米世代就能全面趕上英特爾」。 英特爾的製程推進仍依循摩爾定律，2014年14奈米將進入量產階段，2016年後則導入10奈米量產，由此來看，若台積電能在2015年以10奈米量產投片，的確已追趕上英特爾。 台積電及英特爾均參加了微影設備大廠艾司摩爾（ASML）的「客戶聯合投資專案」，共同開發EUV微影技術，近期研發上已有所突破。ASML指出，EUV光源功率已提升到55W，每小時可處理43片晶圓，10奈米世代可望開始導入EUV技術。